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| Kočí, Jan | Prague |
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| Šuljagić, Marija |
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| Ollier, Nadège |
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| Azevedo, Nuno Monteiro |
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| Landes, Michael |
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| Rignanese, Gian-Marco |
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Elias, Caroline
Mines Paris - PSL
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Topics
Publications (2/2 displayed)
- 2023Alloy distribution and compositional metrology of epitaxial ScAlN by atom probe tomographycitations
- 2023Étude d'héterostructures HEMT ScAlN/GaN élaborées par épitaxie sous jets moléculaires assistée ammoniac ; Study of ScAlN/GaN HEMT heterostructures grown by ammonia assisted molecular beam epitaxy
Places of action
| Organizations | Location | People |
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thesis
Étude d'héterostructures HEMT ScAlN/GaN élaborées par épitaxie sous jets moléculaires assistée ammoniac ; Study of ScAlN/GaN HEMT heterostructures grown by ammonia assisted molecular beam epitaxy
Abstract
L'alliage ScAlN est un semiconducteur III-N à large bande interdite connu pour ses propriétés piézoélectriques remarquables. Ses propriétés de polarisation spontanée et piézoélectrique sont également intéressantes pour la réalisation d'hétérojonctions avec le GaN en vue de fabriquer des transistors à haute mobilité électronique (HEMTs). Dans ces hétérojonctions, remplacer le matériau barrière AlGaN habituellement utilisé par ScAlN présente plusieurs avantages, parmi lesquels la possibilité de générer des gaz bidimensionnels d'électrons (2DEGs) avec des densités bien plus importantes. En corolaire, ceci permet de maintenir de grandes densités de porteurs dans les canaux des HEMTs même avec des barrières ScAlN de très faible épaisseur (quelques nanomètres), ce qui en retour permet de conserver des résistances d'accès faibles, des courants de saturation élevés tout en limitant les effets de canal court dans les transistors à grille submicronique des amplificateurs de puissance hyperfréquence. Aussi, l'alliage Sc0.18Al0.82N étant adapté en paramètre de maille avec GaN, la possibilité de réduire notablement les contraintes mécaniques liées au désaccord de paramètre de maille est un atout pour améliorer la fiabilité des composants.Cependant, pour bénéficier de tous ces avantages il est nécessaire de maitriser la croissance cristalline de l'alliage ScAlN sur un film de GaN afin d'obtenir des hétérojonctions présentant la meilleure qualité cristalline possible et le comportement électrique recherché. La littérature récente a rapporté des résultats encourageants au sujet de la croissance d'hétérostructures HEMTs ScAlN/GaN par épitaxie sous jets moléculaires assistée par plasma et de la croissance par épitaxie en phase vapeur aux organo- métalliques. Dans cette thèse, nous nous intéressons à la croissance par épitaxie sous jets moléculaires à l'ammoniac, technique que le laboratoire maitrise depuis plus de vingt ans pour les composés GaN et AlGaN. Pour la première fois à notre connaissance, des alliages ScAlN ont été ...