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Infante Ingrid, C.
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Topics
Publications (8/8 displayed)
- 2023VO2 stabilization on Si for memristor in neuromorphic computing applications
- 2023Interplay between Strain and Defects at the Interfaces of Ultra‐Thin Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 ‐Based Ferroelectric Capacitorscitations
- 2023Thermal information processing using phase change materials
- 2021Electrical Characterisation of HfZrO2 Ferroelectric Tunnel Junctions for Neuromorphic Application
- 2021Développement d’un capteur environnemental ultra-basse consommation à base de SnO2 en technologie CMOS FDSOI
- 2021Structure, chemical analysis, and ferroelectric properties of chemical solution derived epitaxial PbZr$_{0.2}$Ti$_{0.8}$O$_3$ films for nanomechanical switching
- 2021Impact of a dielectric layer at TiN/HfZrO2 interface for ferroelectric tunnel junctions applications
- 2021Role of ultra-thin Ti and Al interfacial layers in HfZrO2 ferroelectric tunnel junctions
Places of action
| Organizations | Location | People |
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document
Développement d’un capteur environnemental ultra-basse consommation à base de SnO2 en technologie CMOS FDSOI
Abstract
Le contrôle de la qualité de l’air présente aujourd’hui un enjeu majeur compte tenu des très forts impacts environnementaux liés aux activités industrielles et aux transports [1]. L’estimation du besoin annuel du capteur est d’un trillion (1012) à l’horizon 2022 [2].Les technologies de la microélectronique évoluent très rapidement et intègrent de plus en plus de nouvelles fonctions que l’on associe aux systèmes de traitement des informations. Dans ce contexte, les technologies à base de capteurs ultra-sensibles et ultra-basse consommation présentent un réel avantage. Les transistors à effet de champ FDSOI (fully depleted silicium on insulator) combinés à des matériaux sensibles et compatibles avec le Back-End-of-Line (BEOL) peuvent dans ce contexte être utilisés comme transducteurs électrochimiques ultra-sensibles et autonomes pour des applications notamment pour les secteurs industriels comme l’automobile et plus généralement dans le domaine de l’environnement.Le premier défi est d’optimiser le matériau sensible, d’une façon à baisser la température du travail du capteur afin de réduire la consommation d’énergie de ce dernier. Le matériau choisi est l’oxyde d’étain car SnO2 est un matériau très sensible au gaz environnant et possédant une longue durée de vie [3]. La réponse de ce dernier dépend de la microstructure du matériau (taille des grains, cristallinité, stœchiométrie, etc.) [4].Nous avons réalisé une étude systématique des conditions de dépôt par pulvérisation cathodique et de cristallisation post-dépôt de films minces de SnO2 sur silicium, compatibles avec les technologies BEOL. Des mesures de résisitivité ont complété les études structurales et ont permis d’optimiser les conditions d’élaboration.[1] J.K. Hart et al. Environmental sensor network: a revolution in the earth system science? Earth Sci. Rev., 2006)[2] Trillion Sensor Universe, iNEMI Spring Member Meeting and Webinar Berkeley, CA, April 2, 2013 [3] Chengxiang Wang, Metal Oxide Gas Sensors: Sensitivity and Influencing Factors[4] Capteurs de gaz à SC – Techniques de l’ingénieur 2006